**[단독] 삼성전자, ‘차세대 HBM’ TSMC와 함께 만든다

엔비디아 ‘NVHBM’ 공동 개발·생산 HBM의 핵심 구성품 ‘베이스 다이’ 삼성 파운드리 대신 TSMC 3나노 적용 삼성, HBM 제조 ‘턴키’ 경쟁력에도 빅테크의 까다로운 요구에 한발 물러서**

삼성전자(005930)가 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭메모리(HBM)를 개발하면서 핵심 구성품인 ‘베이스다이’를 세계 최대 파운드리(반도체 위탁 생산) 업체인 TSMC 공정을 활용하기로 했다. 그간 HBM 공급 시 메모리칩 역할인 코어다이와 시스템반도체 역할인 베이스다이를 모두 자체 생산해온 삼성전자가 엔비디아의 기술적 요구 사항을 수용해 ‘턴키(일괄공급)’ 기반의 HBM 제조 방식을 바꾸기로 한 것이다.

18일 업계에 따르면 엔비디아는 올 8월 공개한 커스텀 HBM인 ‘NVHBM’ 생산을 맡긴 삼성전자와 SK하이닉스(000660)·마이크론에 베이스다이를 TSMC의 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정으로 만들어줄 것을 요구했다. 코어다이 역시 6세대 D램 공정(1c)으로 통일을 요청했다. NVHBM은 차세대 HBM인 HBM4E(7세대) 구조를 기반으로 한다.

엔비디아의 이 같은 요구는** HBM 공급 업체마다 제조 방식이 다르면 설계한 제품 성능을 일관되게 구현하기 어렵기 때문이다.** 업체마다 제품 검증을 별도로 해야 하는 부담도 줄일 수 있다. 파운드리 사업을 거느린 삼성전자 DS 부문은 내부 검토 끝에 엔비디아 요구를 수용하기로 했다.

삼성전자는 HBM을 그래픽처리장치(GPU)와 연결하는 과정에서 4년 전 TSMC의 패키징 공정과 호환을 위해 협력한 적은 있지만 HBM 제조 단계부터 손을 잡는 것은 이번이 처음이다.

삼성은 다만 HBM 턴키 전략은 표준 HBM 제품에서 그대로 유지한다. 삼성전자는 올 초 세계 최초로 양산한 6세대 HBM4와 양산 검증 중인 7세대 HBM4E의 베이스다이에 삼성 파운드리의 4나노 공정을 적용하고 있다. 두 제품의 코어다이 역시 삼성전자 화성·평택캠퍼스의 1c 라인에서 만들고 있다.

삼성전자는 AMD 등 다른 고객사의 커스텀 HBM에서도 턴키 방식을 고수할 방침이다. 아울러 NVHBM 개발·생산에도 자체 파운드리 활용 가능성을 남겨뒀다. 업계 관계자는 **“삼성은 NVHBM용 베이스다이를 자사 파운드리에서도 만들 수 있는지 검증하고 있다”며 “NVHBM 수요가 TSMC 생산능력을 넘어설 경우를 대비한 것”**이라고 전했다.

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